Оперативная память

 

 


Оперативную память рассмотрим на примере наиболее используемого типа памяти – синхронной динамической памяти (Synchronous DRAM - SDRAM). SDRAM представляют собой микросхемы памяти, построенные с использованием технологии конвейеризации, которые используют ячейки DRAM и обеспечивают циклы 5-1-1-1, но работают при частоте шины 100 МГц и выше.

Микросхемы SDRAM имеют средства энергосбережения и оптимизированы дляпакетной передачи данных. В режим пониженного потребления (power down mode) микросхема не воспринимает команды.

Временные характеристики (тайминг) памяти SDRAM описываются тактовой частотой и тремя параметрами задержек CL-TRCD-TRP: CL (Cas Latency) – число скрытых тактов (2 или 3); TRCD – задержка CAS (Column Address Strobe)-RAS12 (Row Address Strobe), выраженная в тактах (2-3); TRP – время предварительного заряда RAS.

Таблица 3.3. Параметры памяти SDRAM



Спецификация

Частота, МГц

CL-TRCD-TRP

PC66

66

3-2-3

2-2-2

PC100

100

3-3-3

3-2-2

2-2-2

PC133

133

3-3-3

3-2-2

2-3-2

2-2-2

DDR 200 PC1600

100

2-2-2

DDR 266 PC2100

133

2-2-2

2-3-3

2,5-3-3

DDR 333 PC2700

166

2,5-3-3

DDR 400 PC3200

200

3-3-3

3-4-4

DDR2-400

200

3-3-3

4-4-4

DDR2-533

266

3-3-3

4-4-4

5-5-5

DDR2-667

333

4-4-4

5-5-5

Время доступа памяти SDRAM можно определить по формуле:

TRAC = (TRCD + CL)/F, где TRAC в [нс], а F в [ГГц].

Поэтому минимальный показатель времени доступа обеспечивает память PC133, у которой с наилучшими таймингами 2-2-2 TRAC= (2+2)/0,133 = 30 нс.

Память DDR13 SDRAM (стандарт JEDEC JESD-92D) является развитием памяти SDRAM. В ней используются ячейки DRAM с вдвое большей разрядностью, чем разрядность шины данных. Данный тип микросхем питается напряжением 2,5 или 3,3 В. Имеет пониженное энергопотребление.

Таблица 3.4. Параметры памяти DDR и DDR2



Спецификация

Частота, МГц

Пропускная способность для одноканального режима, Мб/сек

Пропускная способность для двухканального режима, Мб/сек

DDR 266

133

2100

4200

DDR 333

166

2700

5400

DDR 400

200

3200

6400

DDR2 400

200

3200

6400

DDR2 533

266

4266

8533

DDR2 667

333

5333

10666

DDR2 800

400

6400

12800



Рис. 3.4. Слоты памяти DDR и DDR2.

Развитием DDR SDRAM стала DDR2 SDRAM, у которой помимо удвоенной частоты синхронизации обмен происходит на более высоких тактовых частотах, чем у DDR. У этой памяти значительно увеличена пропускная способность по сравнению с DDR (см. таблицу 3.4).

 

а) б)

Рис. 3.5. Чип DDR SDRAM в корпусировке TSOP (а); чип DDR2 SDRAM в корпусировке BGA (б).


Лекция добавлена 28.02.2013 в 03:18:03